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Jim Heath, chercheur à Caltech, et Fraser Stoddart du California NanoSystems Institute (CNSI) à l'Université de Los Angeles (UCLA), viennent de présenter dans la revue Nature du 25 Janvier une avancée importante pour le développement de l'électronique moléculaire. Ils ont mis au point un prototype de mémoire d'une capacité de 160 Kb de la taille d'un globule blanc, ce qui correspond à la première mémoire d'une telle densité encore jamais fabriquée.
Le dispositif se compose d'une matrice de 400 fils de silicium et de 400 fils de titane inter-croisés perpendiculairement. Une couche de molécule organique est intercalée entre chaque croisement de fils. La jonction qui définit un bit de donnée ne dépasse pas 15 nm en largeur. En comparaison les mémoires les plus denses actuelles possèdent des motifs de base de 140 nm de large. Les molécules utilisées pour le stockage de l'information ([2]rotaxanes) sont composées de 2 parties complémentaires: un anneau moléculaire encercle une molécule en forme d'haltère. Lorsque la molécule reçoit un signal électronique, la partie en forme d'anneau se déplace d'une position à une autre le long de la partie en forme d'haltère ce qui engendre une différence de conductivité. Ces molécules forment ainsi un interrupteur moléculaire.
En appliquant la loi de Moore, les mémoires actuelles atteindraient une telle densité dans 13 ans. Néanmoins beaucoup de chercheurs s'accordent à dire que cette loi ne sera plus valable au-delà de 2013 en raison des limites physiques induites par la miniaturisation des circuits électroniques. Ce nouveau type de mémoire pourrait donc s'avérer très prometteur pour l'industrie du semi-conducteur puisqu'il permettrait de repousser les limites de la miniaturisation.
Plusieurs années de R&D seront nécessaires avant que cette technologie puisse être utilisée pour les futurs circuits. Une des difficultés que les chercheurs s'attachent à surmonter est la faible durée de vie des interrupteurs moléculaires qui ne dépassent pas actuellement la dizaine de commutations.
source http://www.techno-science.net/?onglet=news&news=3760
Mar 20 Fév - 1:04